东芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48层堆叠工艺，超越主流2D NAND闪存的容量，同时提高了可写入/擦除次数及可靠性，并提高了写入速度。
自2007年在全球首次推出了3D堆叠式结构闪存以来注3，东芝一直致力于优化大批量生产的研发。为更好地满足快速增长的闪存市场需求，东芝将瞄准大容量、小型化的应用领域，积极推动3D堆叠式结构闪存，推出SSD等产品组合。
东芝于1987年在世界上最早开发出NAND闪存，作为闪存世界的缔造者，一直秉承专业的精神，为消费者提供高速、优质的专业闪存体验。目前，这一产品在东芝四日市工厂开始生产，预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。
注1：据东芝调查。
注2：一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），极大地提高了密度。
注3：据2007年6月12日东芝发布资料
* BiCS FLASH™是东芝公司的商标。
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