美光、三星将联合研发“夹心饼干”内存
2011年10月6日，美光宣布将和存储芯片业界龙头韩国三星电子一起研发HMC这种新的内存架构，目标是尽快使其实用化，进入工业化生产阶段。
HMC是采用硅穿孔（TSV，Through Silicon Via）技术，将多个芯片堆叠在一起，采用一个逻辑层控制的新内存架构方案。可极大提高内存带宽，能耗比效率是目前低电压版DDR3内存的7倍，性能是其15倍之多。
而HMC技术最大的挑战就是内存的实际封装问题，相信在业界龙头Intel、美光、三星的合力攻关之下一定会有对应的解决方法。
上一篇： 美光宣布世界首次量产相变内存